| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2013년 봄 (05/01 ~ 05/03, ICC JEJU) |
| 권호 | 17권 1호 |
| 발표분야 | 포스터-나노 |
| 제목 | Effect of interface in graphene oxide resistive switching memory devices |
| 초록 | 최근 graphene과 graphene oxide(GO)에 관심이 많아지면서 Metal/GO/Pt구조, Al/GO/ITO 및 Al/GO/Al구조와 같이 graphene oxide resistive switching memory에 관한 연구가 많이 보고되고 있다. 이러한 GO resistive switching memory device의 작동 원리는 주로 oxygen migration과 metal ion의 migration에 의해 일어나는 것으로 알려져 있다. 이 연구에서는 먼저 Al/GO/Al구조에서 상부전극과 하부전극 간의 전류전압측정을 통해 기본적인 switching 특성을 관찰하였고 그 후 측정방법을 달리하여 상하부 전극의 수직 구조뿐만 아니라 평행 구조를 이용하여 전기적인 특성을 측정하였다. 이러한 방법으로 Al/GO/Al device에서 계면이switching 특성에 미치는 영향을 분석해보았다. |
| 저자 | 서영대, 이미정, 고무석, 이준혁 |
| 소속 | 국민대 |
| 키워드 | Graphene oxide; resistive switching memory; ReRAM |
