| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2013년 봄 (05/23 ~ 05/24, 여수 엠블호텔(THE MVL)) |
| 권호 |
19권 1호 |
| 발표분야 |
C. 에너지/환경 재료(Energy and Environmental Materials) |
| 제목 |
실리콘 관통형 via (TSV)의 seed layer 증착 및 via filling 특성에 관한 연구 |
| 초록 |
모바일 시장의 발달에 따라 스마트폰 단말기 및 관련 전자부품들의 소형화, 고 집적화에 대한 요구가 급증하고 있다. 특히 PCB 기판 및 패키징 분야에서 3차원 패키징을 위한 임베디드 능동·수동소자 기술, 고 종횡비의 via 기술 등이 활발히 연구되고 있으며 상용화가 이루어지고 있는 실정이다. 본 연구는 3D 패키징을 위한 실리콘 관통형 via (TSV)의 Seed layer 증착과 도금조건에 따른 via filling 특성을 평가하였다. Seed layer는 PEALD를 사용하여 Cu와의 결정 정합성이 뛰어난 Ru을 50 nm 두께로 증착 하였고 표면과 via 하단부의 두께편차가 약 25 % 이하의 seed layer 층을 확보하였다. 또한 Barrier layer로는 TiN 10 nm를 사용하였다. Cu via filling을 위한 전류 인가 방법으로는 DC와 Pluse를 사용하였으며, void가 없는 super filling을 위하여 SPS, JGB 등의 유기첨가제를 사용하였다. SEM을 이용하여 얻어진 via 단면을 관찰하였고 그 충진율을 비교하였다. |
| 저자 |
김가희, 이현주, 윤지숙, 이승준, 김양도
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| 소속 |
부산대 |
| 키워드 |
TSV; Seed layer; Via filling
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| E-Mail |
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