| 초록 |
음파화학법(sinochemical synthesis)으로 합성한 MoS2 위에 조촉매인 Ni를 화학기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD)으로 선택적으로 담지하여 높은 활성의 탈황/탈질 촉매를 제조하였다. 새로운 방법으로 제조된 촉매를 dibenzothiophene (DBT)와 4,6-dimethyldibenzothiophene (4,6-DMDBT)의 탈황 그리고 carbazole의 탈질 반응에 사용한 결과, 기존의 함침법으로 제조한 촉매보다 우수한 활성을 가짐을 확인하였다. 제조한 촉매를 STEM-EDS로 분석한 결과, CVD 방법으로 Ni를 첨가할 경우 Ni가 선택적으로 MoS2에 흡착하여 탈황/탈질 촉매의 활성상인 NiMoS가 함침촉매의 경우보다 더 많이 형성되는 것을 알 수 있었다. 촉매의 이와 같은 특성으로 특히 직접탈황 경로의 활성이 크게 증가한다. 이는 CVD 방법으로 첨가된Ni와 MoS2의 효과적인 상호작용에 기인한 것으로 XPS분석을 통하여 확인하였다. 음파화학법으로 제조한 촉매는 기존의 함침법으로 제조한 촉매보다 활성상이 고분산, 고담지되며 이로 인하여 심도탈황 및 탈질 반응에서 필수적인 수소화 활성이 크게 증가한다. 또한 다양한 방법으로 제조한 촉매를 이용하여 탈황과 탈질이 동시에 일어나는 조건에서의 반응특성을 살펴보았다. |
