| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2006년 가을 (11/03 ~ 11/03, 수원대학교) |
| 권호 |
12권 2호 |
| 발표분야 |
나노 및 생체 재료 |
| 제목 |
양극산화 알루미늄 기판을 이용한 Ni imprint stamp의 제작 및 응용 |
| 초록 |
양극산화 알루미늄 기판은 다양한 물질을 채워 넣으면 광전자소자, 단전자소자, nano wire 등을 저렴한 가격으로 제조할 수 있으며, 특히 양극산화 알루미늄 기판을 mold로 이용하여 nano imprint에 사용되는 stamp를 제작하면 저렴한 가격으로 나노size의 pattern을 대량으로 생산 할 수 있다. 따라서 이를 이용한 nano imprint 기술은 현재의 고비용 저효율의 e-beam lithography, x-ray lithography 등을 대체할 고밀도 nano patterning 기술로 각광 받고 있다. 이 실험에서는 nano imprint에 사용할 stamp를 제작하기 위해 양극 산화 알루미늄 기판에 Ni도금을 한 후, 그 특성 및 응용 가능성을 알아보았다. 양극 산화 알루미늄 기판은 Si wafer에 e-beam evaporator를 이용하여 Al박막을 1um 증착 후 2단계 양극산화를 이용하여 양극 산화 알루미늄 기판을 제작하였다. 최적의 조건을 얻기 위해 1차 양극산화 시간을 최대한 길게 하였으며, 제작된 양극산화 알루미늄 기판 위에 Cr을 sputtering 하여, Ni stamp제작을 위한 전극을 형성하였다. Ni stamp의 강도를 높이기 위하여 Ni도금은 2ASD에서 5ASD까지 전류밀도에 변화를 주어 실행 하였으며 그 결과 수백 um두께에 약 5~60nm의 dot pattern을 갖는 stamp를 제작 할 수 있었다. Ni stamp의 형상은 FE-SEM을 이용하여 관찰하였고, 제작된 stamp는 hot embossing 및 UV imprint 공정을 진행하여, 응용 가능성을 확인 하였다. |
| 저자 |
임승규1, 정근희2, 박인수1, 박정갑2, 이용호1, 서수정2
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| 소속 |
1School of Advanced Science and Engineering, 2Sungkyunkwan Univ. |
| 키워드 |
AAO; nano imprint; Ni master
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| E-Mail |
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