화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2004년 봄 (05/14 ~ 05/14, 강릉대학교)
권호 10권 1호
발표분야 Display
제목 Glass /ITO/PEDOT/MEH-PPV/Al 구조를 갖는 유기 발광다이오드의 특성연구
초록 고분자 물질을 이용한 유기 발광다이오드(OLED, organic light emitting diode)는 5V 이하의 저 전압 구동이 가능하고, 소자의 구조가 비교적 단순하여 공정 비용의 절감을 기대할 수 있는 차세대 정보디스플레이 소자로서 많은 관심을 받고 있다. 그러나 보다 높은 발광효율을 가지는 유기 발광다이오드의 개발을 위해서는 내부 양자효율이 높고, 수명이 긴 발광 물질과 신뢰성 있는 소자구조 및 공정을 개발하여야 한다. 특히 물리-전자적인 측면에서 박막 계면의 특성과 발광 메카니즘에 대한 추가적인 연구가 필요하다.
본 연구에서는 Glass/ITO(indium tion oxide) 기판위에 정공주입 (HIL, hole injection layer) 층으로 PEDOT (Polyethylenedioxythiophene:Polystyrensulphonate) 물질를 사용하고, 발광층 (EML, emission layer)으로 MEH-PPV (Poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexoxy)-1,4-
phenylenevinylene)를 사용하여 제작된 고분자 유기발광다이오드의 전기ㆍ광학적 특성을 조사하였다.
Glass/ITO/PEDOT/MEH-PPV/Al의 구조를 가지는 소자를 제작하기 위해서 ITO가 코팅된 유리 기판 (면저항: 10Ω/▯) 위에 정공 주입층으로 PEDOT을 스핀 코팅(spin coating) 한 후 120℃에서 1시간 동안 진공 열처리를 행하여 형성하였다. 또한 발광층으로 고분자 유기물인 MEH-PPV을 스핀코팅한 후 65℃- 170℃ 온도 범위에서 열처리하여 발광소자를 형성하였다. 상부전극으로서 알루미늄 (Al) 금속을 진공 열증착법으로 약 5×10-6 torr 에서 형성한 후, 정공 주입층이 형성되지 않은 Glass/ITO/MEH-PPV/Al 구조를 갖는 유기 발광다이오드와 전기ㆍ광학적 특성을 비교, 조사 하였다. Glass/ITO/MEH-PPV/Al 구조의 발광 다이오드의 경우 열처리 온도를 65℃에서 170℃로 증가함에 따라 소자의 발광휘도는 10V 인가전압에서 630 cd/m2에서 280 cd/m2 로 크게 감소하였다. 이때 최대 발광효율은 약 2 lm/W를 나타내었다. PEDOT 고분자 물질을 정공 주입층으로 사용한 경우 소자의 발광휘도가 약 10% 향상되는 경향을 나타내었다.
저자 공수철, 장호정
소속 단국대
키워드 유기발광다이오드; 고분자; MEH-PPV; 휘도
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