| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2012년 봄 (05/17 ~ 05/18, 무주덕유산리조트) |
| 권호 |
18권 1호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 |
Study on origin defects for CuInSe2 layers using photoluminescience |
| 초록 |
CuInSe2 단결정 박막을 Cu, In 및 Se 증기 분위기에서 각각 열처리한 후 광 발광 스펙트럼을 측정하고 분석하여 이러한 열처리 결과가 중성 주개에 구속된 exciton(D0,X)과 중성 받개에 구속된 exciton(A0,X)에 의한 복사 발광 봉우리 I2와 I1 및 SA emission에 의한 PL 봉우리에 어떤 영향을 미치는가를 연구하였다. 막 성장(as-grown)된 CuInSe2 단결정 박막과 여러 분위기에서 열처리한 결정들에 대한 지배적인 point defect들이 광 발광 측정에 의해 연구하여 이러한 결과들로부터 CuInSe2 단결정 박막내에 내재된 결함들의 기원에 대하여 논의하였다. |
| 저자 |
홍광준 |
| 소속 |
조선대 |
| 키워드 |
CuInSe2; origin defect; 중성 주개에 구속된 exciton; 중성 받개에 구속된 exciton
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