| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 봄 (05/26 ~ 05/27, 제주 휘닉스 아일랜드) |
| 권호 | 17권 1호 |
| 발표분야 | E. Structural Materials and processing Technology(구조재료 및 공정기술) |
| 제목 | DC 마그네트론 스퍼터링법으로 형성된 TiN 박막의 구조적 특성 |
| 초록 | 본 연구에서는 TiN 박막을 (0001)방향의 사파이어(Al2O3)기판 위에 DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착하고 박막의 증착조건에 따른 구조적 특성을 조사하였다. TiN 박막을 형성하기 위하여 6 인치 크기의 Ti 타켓을 사용하였으며 작업진공도는 3 mtorr로 일정하게 유지하였고, Ar 가스에 대해 N2 가스의 혼합비율을 10~50% 범위에서 변화시켰고, 기판온도를 200~500℃로 변화시켰다. TiN 박막의 구조적 특성을 X선 회절분석기로 분석하였고, 4-point probe와 비커스 경도시험기를 이용하여 표면의 저항과 경도를 측정하였으며, X선 광전자분광분석기(XPS)를 이용하여 화학적결합 형태를 분석하였다. 사파이어 기판 위에 형성된 TiN 박막은 (111) 방향의 단일상으로 증착되었다. N2 가스의 혼합량과 기판온도가 증가함에 따라 (111)방향의 X선 회절강도가 증가하였으며, 박막의 저항은 감소하였고 경도값은 증가하였다. 한편, Ti을 질소 가스 분위기에서 스퍼터링시켜 형성된 TiN 박막 내부에는 약 20% 정도의 O가 혼합되어 (111) 방향의 TiN과 비정질 상의 TiO2가 동시에 존재하였다. |
| 저자 | 한원석1, 신동휘2, 송창호1, 변창섭2, 김선태1 |
| 소속 | 1한밭대, 2정보전자 부품소재 (연) |
| 키워드 | TiN; DC-sputtering; XRD; XPS |
