| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2016년 봄 (05/18 ~ 05/20, 여수 디오션리조트 ) |
| 권호 | 22권 1호 |
| 발표분야 | G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 | Phase change of MoS2 few-layer by sulfur annealing |
| 초록 | 차세대 flexible device를 위하여 기존의 a-Si 보다 더 높은 전기적, 기계적 물성을 지닌 재료의 필요성이 대두되고 있다. 가장 먼저 연구 되어진 그래핀의 경우 2차원 구조로 된 재료로서 우수한 전기적 특성을 지니지만 bandgap을 갖지 않아서 전자소자로서 한계가 있다. 하지만 MoS2는 층수에 따라 다층에서 1.2eV, 단층에서 1.8eV 의 Bandgap을 지닌다. 또한 좋은 전자 이동도 와 높은 on/off ratio, 적은 subthreshold swing을 지니고 있어 차세대 저전력 flexible device로 활발히 연구 되고 있다. 본 연구에서는 off-axis Sputter을 이용하여 MoS2 seed layer를 증착한후 황 분위기에서 후열처리하여 시편 위에 few-layer MoS2를 합성하였다. 실험과정에서 온도와 기판의 변화에 따른MoS2 성장방식과 전기적 특성의 변화들의 상관관계를 연구하였다. 만들어진 시편은 Raman Spectroscopy, Atomic Force Microscopy (AFM), Optical Microscopy, Scanning Electron Microscope (SEM), Transmission Electron Microscope(TEM)을 이용하여 표면분석 및 MoS2 Layer에 대한 분석을 진행하였다. |
| 저자 | 오태경1, 이교섭1, 민형섭1, 주현수1, 전형탁2, 이전국1 |
| 소속 | 1한국과학기술(연), 2한양대 |
| 키워드 | MoS<SUB>2</SUB>; 2D material; Thin film; CVD; TFT |
