| 초록 |
최근 3D 광 메모리, 홀로그래픽 메모리, 근접장 광 메모리 등과 같은 광 정보 저장 체제에 대한 많은 연구가 수행되고 있다. 이들 메모리 시스템을 실현하기 위하여 무엇보다 가공성과 응용성 측면에서 우수한 광기능성 고분자 재료의 개발이 필요하다. 특히 이러한 광기능성 고분자들 중 아조벤젠 그룹을 갖는 고분자들은 높은 비선형 상수와 정보의 기록과 소거가 가역적으로 가능하여 홀로그래픽 메모리 소자로의 연구가 활발하게 진행되고 있다. 본 연구에서는 아조벤젠 그룹을 단위 구조당 2개씩 갖는 실리케이트 에스테르계의 새로운 단량체를 합성한 후 MMA 단량체와 몰 비를 변화시키면서 라디칼 중합을 일으켰다. 즉, 중합체 내의 조성이 다른 공중합체와 실리케이트 에스테르 호모중합체를 합성한 후 중합체 내의 아조벤젠의 농도에 따른 가역적 광학적 정보 저장의 특성을 관찰하였다. 또한 아날로그 이미지를 기록한 후 온도에 따른 정보의 저장 안정성을 조사하였다. 이외에 실리케이트 에스테르와 MMA 단량체로부터 제조된 공중합체 후막의 3차원 홀로그램 메모리 특성을 조사하였다.
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