| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 나노 및 생체재료 |
| 제목 | 0차원 재료의 합성을 위한 Anodized Aluminum Oxide template의 제작 |
| 초록 | 균일한 직경의 기공을 갖는 Anodized Aluminum Oxide(AAO) template을 이용할 경우 균일한 크기를 갖는 나노 물질을 기판 상에 직접 성장시킬 수 있는 장점 외에 나노 물질의 균일한 배열이 가능한 장점이 있다. AAO template을 이용하여 Si 기판위에 0차원 재료를 합성시키기 위해서는 AAO template의 길이가 짧아야하고 기공의 크기가 커야한다. 이를 목적으로, 본 연구에서는 반도체 공정의 대표적인 기판으로 사용되는 Si 기판위에 균일한 직경 및 배열을 가지며 0차원 재료를 합성시키기 위한 최적의 AAO template을 제작하였다. Sputtering방법을 이용하여 Si wafer 위에 Al 금속 층을 증착한 다음 양극산화공정을 이용하여 Si 기판위에 AAO template을 제작하였다. 0차원 재료의 합성을 위한 짧은 길이를 가지며 균일한 기공의 배열을 갖는 AAO template을 Si위에 제작하기 위해 양극 산화 Voltage를 60V~30V로 변화하여 AAO template의 기공의 균일성 및 직경 변화를 관찰하였으며, Pore widening time을 30분~50분으로 조절하여 기공의 직경을 변화하였다. 또한 Si wafer상의 Al 금속 층의 두께를 1.5μm~3μm로 달리하여 AAO template의 기공 균일성을 관찰하였다. 최적화된 배열을 갖는 AAO template을 shadow mask로 이용하여 ICP 건식 식각 장치로 Si 기판위에 균일한 나노 기공을 제작하여 AAO template을 이용한 0차원 재료의 형성 가능성을 확인하였다. 본 연구는 과학 기술부의 21 세기 Frontier R&D Program, KRF 나노기술사업단(M105KO010000-05K1501-02410) 그리고 교육 인적 자원부의 BK 21 사업의 제정적인 지원으로 이루어진 연구입니다. |
| 저자 | Moon Kyu Park1, Se Young Jeong2, Yousuk Cho1, Gyuseok Choi2, Dojin Kim1 |
| 소속 | 1Department of Materials Science and Engineering, 2Chungnam National Univ. |
| 키워드 | AAO; Anodized Aluminum Oxide template; zero-dimension; nanodot; quantum dot; NCA |
