| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2006년 봄 (04/20 ~ 04/21, 대구 인터불고 호텔) |
| 권호 | 12권 1호, p.960 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | CdSe/ZnS 나노입자를 이용한 전계발광소자의 특성 분석 |
| 초록 | 나노미터의 크기를 가지는 금속 반도체 화합물은 그 물리화학적인 성질과 광전자 성질이 기존의 마이크로미터 크기의 입자와는 전혀 다른 특성을 보인다. 지난 수년 동안 반도체화합물의 이러한 성질로 인하여 반도체화합물에 관한 연구가 관심을 끌고 있다. 최근 들어서 나노 반도체 화합물에 대한 관심으로 화합물의 성장 메카니즘 규명[3] 뿐 아니라 반도체화합물의 성질을 이용한 분자회로, 광전소자 및 센서 등에 응용하려는 연구가 진행되고 있다. CdSe, CdS나 CdTe, 그리고 ZnS 같은 II-VI족 화합물은 벌크일 경우 에너지 갭이 근적외선 영역에 해당하나, 크기가 작아짐에 따라 에너지 갭의 증가와 양자효과로 인해 가시광선 영역의 에너지 갭을 갖는 것으로 알려져 있어 가시광선 영역의 광소자의 소재로 사용될 수 있다. 본 연구에는 TOPD/TOP가 코팅된 CdSe/ZnS 나노입자를 고온 및 진공 조건에서 합성한 후 이를 이용하여 발광소자를 제조하여 발광특성을 알아본다. 이를 위해서 발광소자의 구성요소인 정공수송층과 전자수송층의 제조조건을 확립하고, 이를 이용하여 발광소자를 제조하였다. 그리고 제조된 발광소자를 이용하여 전압-전류 곡선을 측정하고, 이를 바탕으로 발광특성 결과를 분석하였다. |
| 저자 | 박관휘, 유홍정, 김성현 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | CdSe/ZnS; 나노입자; EL |
| 원문파일 | 초록 보기 |
