| 초록 |
초임계 이산화탄소(scCO2)를 사용하여, 고종횡비를 가지는 패턴 반도체 제작 시 건조과정에서 발생하는 패턴 붕괴를 막을 수 있는 효과적인 건조법에 대해 연구하였다. 기존 방식의 습식 건조법에 한계가 있는IPA에 대한 초임계 이산화탄소로의 치환가능성에 대해 평가하였으며 이산화탄소에 대한 IPA의 용해도와 용해 거동을 조사하였다. 또한 scCO2 flow를 이용하여 웨이퍼에 잔류하는 IPA가 빠르게 용해되는 것을 확인하였고, flow속도가 빠를수록 IPA제거시간이 줄어듬을 확인하였다. 초임계 이산화탄소의 온도와 압력에 따른IPA의 제거율을 휘발 분석법을 이용하여 수치화하였다. IPA 치환에 뒤이은 12분의scCO2 flow건조법으로65의 고종횡비를 가진 캔틸레버 구조 패턴 웨이퍼를 stiction없이 제작할 수 있었으며, scCO2 flow시 pulse를 줌으로서 75 종횡비까지 성능을 향상할 수 있었다. 또한 중간 치환 용매로서MeOH와 EtOH를 IPA와 비교하였으나 다소 낮은 건조 성능을 관찰하였다. |
