| 초록 |
TFT(Thin film transistor)는 TFT-LCD의 스위칭 기능을 담당하는 중요한 소자이다. TFT 소자를 보호하는 역할을 하는 passivation층은 현재 Benzocyclobutane(BCB)가 사용되고 있으나, 열경화 공정으로 진행되어 생산성이 낮고, 해상도가 낮으며, Dry Etch 등 제약이 많이 있어 공정 적용에 한계를 가지고 있다. 이런 단점을 보완하기 위해서 photo process가 가능하고, 높은 수율을 낼 수 있는 공정소재에 대한 연구가 국내외 안팍에서 진행되고 있다. 특히, High resolution(고해상도), High Yield(고수율), 적용성이 우수한 TFT-LCD Array용 박막소재에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 TFT-LCD array용 층간절연박에 요구되는 성질인 내열성, 저유전율, 고투과도의 negative형 polyimide 분자 구조 설계 및 합성을 실시하고 이의 광학적, 유변학적 특성을 평가하였다. 또한, 형성된 절연막의 indium tin oxide(ITO) via(hole)를 위한 photolithographic 공정을 실시하고 평가하였다. |
