| 초록 |
6대 온실가스 중 하나로 지정된 과불화탄소는 매우 안정적인 구조를 갖고 있어 다른 온실가스대비 같은 질량당 지구온난화에 미치는 영향이 매우 크다. 과불화탄소 중 반도체 에칭 공정 등에 주로 쓰이는 사불화탄소 (CF4)의 경우, 100년 기준 지구온난화 지수는 7,390으로 그 값이 1인 이산화탄소에 비해 큰 값을 갖고, 대기 중 잔류기간도 50,000년으로 매우 길다. 최근 측정된 대기 중 CF4 농도는 보고된 바에 비해 2배 이상 많은 것으로 알려져 있으며, 뿐만 아니라 반도체 시장의 지속적 성장에 따른 CF4의 방출이 불가피할 것으로 전망된다. 따라서 적절한 분리 기술을 이용한 CF4의 방출량 감축이 요구된다. 본 연구에서는 다양한 장점을 갖는 흡착 공정을 이용하여 CF4를 제거하기 위해 silicon carbide (SiC)를 고온에서 염소, 수소 혼합기체와 반응하여 다공성 탄소 소재 (SiC-CDC)를 제조하였다. 개발된 소재의 특성은 저온 질소 흡착법과, Raman 분광법을 이용하여 분석하였다. 소재의 CF4 흡착 성능은 부피측정법을 이용하여 측정하였으며, 합성 온도에 따른 흡착제의 특성과 CF4 흡착 성능 간의 상관 관계를 파악하였다. |
