| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2014년 봄 (04/30 ~ 05/02, 제주국제컨벤션센터) |
| 권호 | 18권 1호 |
| 발표분야 | 포스터-에너지저장.변환 |
| 제목 | Mo/MoN/Mo 다층 전극을 이용한 CIGS 흡수층 MoSe 두께 조절 |
| 초록 | 통상적으로, 상업적 CIGS 태양광모듈 제조과정에서의 흡수층은 금속 프리커서 박막을 후면전극인 Mo 박막 위에 증착한 후 셀렌화/황화 처리하여 얻어진다. 450 ℃ 이상 고온의 셀렌화 과정 동안, Mo의 표면은 CIGS/Mo가 오믹접합 (ohmic contact) 성능을 가질 수 있도록 해주는 MoSe2로 쉽게 변환된다. 그러나, 200 nm 보다 두꺼운 MoSe2은 높은 저항을 가지기 때문에 MoSe2의 두께 조절이 필요하다. 본 연구에서는, 고온 셀렌화의 이점을 강화하고 MoSe2 두께 조절을 위해, Mo/MoxN/Mo 다층박막을 형성시켜 셀렌화에 대한 저항성을 평가하였다. MoN의 확산방지막 특성을 평가하기 위하여 Mo (50 nm)/MoN (100 nm)/Mo (400 nm)의 다층박막을 460℃, 560℃에서 10 분 동안 Se 증기를 이용하여 셀렌화하였다. 셀렌화된 박막의 셀렌화 거동은 SEM, XRD를 이용하여 분석하였으며, 전기적 물성 변화는 4 point probe를 이용하여 평가하였다. 주어진 열처리 조건에서 MoN가 고온에서 Se에 대한 확산방지막으로 잘 작용함을 확인할 수 있었다. |
| 저자 | 권민수, 전찬욱, 김수현, 김한길 |
| 소속 | 영남대 |
| 키워드 | CIGS; Solar cell; MoSe2; Diffusion barrier |
