| 초록 |
Organic Light Emitting Diodes(OLED)는 대면적에서 균일한 발광이 가능하고 고유의 연성이 있어, 플렉시블 광원으로 응용할 경우 독보적인 장점을 지니고 있다. 본 연구에서는 PEN(polyethylen-enaphthelate) 기판 위에 ITO(Indium Tin Oxide)를 양극 전극으로 사용하여 OLED를 제작할 때, ITO 표면의 플라스마 처리가 소자 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 소자 제작에서 사용된 ITO 막의 초기 면저항은 15 [Ω/sq]이며, 플라스마 처리는 Ar/O2=1:2 분위기에서 100[W] 전력으로 플라스마 처리 시간을 40/60/80/120 [sec]로 변화시켰다. 제작된 소자는 적색 PhosphorescentOLED(PhOLED)로,DNTPD/HAT-CN/TAPC/mCP:x%Bebq2:5%RP411/Bphen/ ET137/Cs2CO3/Al의 구조를 갖는다. 여기서 DNTPD/HAT-CN/TAPC는 정공주입층과 정공수송층으로 증착하였고, 발광층으로 Bebq2:mCP에 5 vol.% RP411을 도핑하였다. Bphen/ET-137/Cs2CO3는 전자수송층과 전자주입층으로 증착하였다. 플라스마 처리는 100[W]/60[sec] 조건에서 최적 성능을 보였으며, 이 조건으로 제작된 소자의 휘도와 전류 밀도는 6[V] 인가전압에서 14320 [cd/m2]와 120 [mA/cm2]을 나타냈었다. 1000[cd/m2]의 조건에서 3.6[V]를 나타내었으며. 전계발광 스펙트럼의 중심파장은 623[nm]로 나타났다. |
