| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
1996년 가을 (10/18 ~ 10/19, 경북대학교) |
| 권호 |
2권 2호, p.1747 |
| 발표분야 |
분체공학 |
| 제목 |
공정 변수 변화에 따른 실란 PCVD 반응기에서의 입자 특성 |
| 초록 |
플라즈마 공정은 고온이 요구되는 화학반응을 플라즈마 상태에 존재하는 전자의 비탄성 충돌 반 응으로 저온에서 일으킬 수 있다는 장점을 가지고 있어 반도체 공정중 박막 제조에 쓰이고 있다. 박막 제조를 위한 PCVD(plasma chemical vapor deposition) 공정에서 생성되는 입자들은 플라즈 마 반응기를 오염시켜 반도체 소자의 생산성 저하 원인의 70% 이상을 차지하고 있다[1]. 입자 오염 문제는 반도체 산업에서 매우 중요하기 때문에 플라즈마 반응기 내 입자 오염에 대한 많은 연구가 행하여 졌으나 플라즈마 화학, 에어로졸 동력학식, 및 반응기 전달 현상 등을 고려한 체계 적인 연구는 행하여지고 있지 않다. 본 연구에서는 실란 PCVD 반응기 내부에 생성되는 화학종들 중 음이온을 입자 생성의 전구체로 하는 homogeneous 입자 생성만을 고려한 수치 모사를 통해 실란 PCVD 반응기 내에서의 화학종 들과 입자들의 특성과 전달 현상 등을 고찰하였다. 수치 모사를 위한 모델식으로써 물질수지식 과 에어로졸 동력학식을 고려하였으며 반응기 내 압력과 전체 기체 유량 및 전기장의 세기 등의 공정 변수를 변화시켜가며 입자 특성과 전달현상 등을 고찰하였다.
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| 저자 |
김동주, 김교선
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| 소속 |
강원대 |
| 키워드 |
PCVD; particle; transport; characteristics
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| E-Mail |
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| 원문파일 |
초록 보기 |
