| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2016년 봄 (04/27 ~ 04/29, 부산 BEXCO) |
| 권호 | 22권 1호, p.965 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Effect of bias voltage on the angular dependence of SiO2 etch rates in fluorocarbon plasmas |
| 초록 | 불화탄소 플라즈마를 이용한 SiO2의 contact hole과 via hole 식각은 반도체 제조 공정에서 가장 중요한 공정 중 하나이다. 반도체의 성능을 높이기 위해서는 contact hole과 via hole이 고종횡비를 유지해야하며 정밀하게 식각되어야한다. 정교한 식각을 위해서는 SiO2 식각속도의 각도의존성을 이해하는 것이 중요하다. 또한 불화탄소 플라즈마에서 플라즈마 chemistry 변화에 따른 SiO2 식각 메커니즘의 이해가 필수적이다. 본 연구에서는 유도결합플라즈마(inductively coupled plasma, ICP) 발생장치와 Faraday cage를 이용하여 불화탄소 플라즈마에서 SiO2 식각속도의 각도의존성을 알아보았다. C4F8, C2F6, CHF3, CF4 4가지 불화탄소 가스를 사용하여 플라즈마 chemistry 변화가 SiO2 식각속도에 어떤 영향을 미치는지 알아보았다. 또한 bias voltage 변화가 SiO2 식각속도의 각도의존성에 어떤 영향을 주는지 분석하였다. |
| 저자 | 박정근, 김준현, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | 화공나노소재; Nanofabrication |
| 원문파일 | 초록 보기 |
