| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2014년 가을 (10/22 ~ 10/24, 대전 DCC) |
| 권호 | 20권 2호, p.2033 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Barrier layer를 통한 CZTS 태양전지에서의 MoS2 발생 억제 |
| 초록 | CuInxGa1-xSe2 (CIGS)를 광 흡수층으로 사용하는 박막 태양전지는 20%가 넘는 전환 효율을 보여주고 있지만, 독성물질과 고가의 희귀 원소들을 사용하기 때문에 상용화에 큰 어려움이 있다. 따라서, CIGS의 구성원소를 지구상에 풍부하고 비교적 저가의 Zn와 Sn으로 치환시켜 사용하는 Cu2ZbSbS4 (CZTS) 광 흡수층 기반의 박막에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나, CZTS 태양전지에서 하부전극으로 사용되는 Mo layer는 CZTS grain을 형성하기 위한 sulfurization 공정중 유입되는 sulfur로 인하여 MoS2 layer를 형성하게 된다. MoS2 layer는 전지 내 직렬 저항을 높이고 전자와 정공 간의 recombination을 야기하여 태양전지 효율 저하의 원인이 된다. 이를 억제하는 방법으로 본 연구에서는 CZTS 광 흡수층과 Mo substrate 사이에 barrier layer를 형성하여 MoS2의 발생을 억제하는 공정을 진행하였다. Mo layer 와 CZTS 광 흡수층 사이에 evaporation 방법으로 증착한 barrier layer를 도입함에 따른 morphology 변화를 살펴보기 위하여 다양한 두께의 barrier layer를 도입하였고, 이를 통해 CZTS grain size 변화와 MoS2 layer 형성의 억제 정도를 관찰하였다. 제작된 CZTS layer의 결정성은 XRD를 이용하여 분석하였고, grain size 및 두께는 SEM을 통해 관찰하였다. 본 연구에서는 barrier layer를 도입하여 제작한 결과, MoS2의 발생이 억제되고 CZTS grain size가 증가함을 확인하였다. |
| 저자 | 나지훈, 서동완, 추혁성, 임상우 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | Cu2ZbSbS4; CZTS; MoS2; recombination |
| 원문파일 | 초록 보기 |
