| 초록 |
AAO(Anodic Aluminum Oxide) 나노 템플레이트를 이용하여 졸-겔 합성법으로 PZT 나노튜브를 합성하고 특성을 조사하였다. 양극산화에 이용된 Aluminum은 실리콘 기판위에 Eelctron Beam Evaporator법으로 증착된 Aluminum과 1mm 두께의 순수 Aluminum 판이 사용되었다. 전해질로는 0.3mol% 황산용액과 0.4mol% 인산용액이 사용되었으며, 음극에는 흑연이 사용되었다. 안가 전압은 황산과 인산용액에서 각각 30V, 60V 정전압을 인가하였다. 형성된 AAO 나노 템플레이트의 pore 직경은 황산용액에서는 20~50nm, 인산용액에서는 70~110nm으로 전해질에 따라 큰 차이를 나타내었다. PZT 나노튜브 졸-겔 합성에는 이노스텍에서 제작된 Pb(Zr0.52,Ti0.48)O3가 사용되었다. 70~100nm의 pore 직경을 갖는 AAO 나노템플레이트를 PZT 졸-겔 용액에 담근 후 650℃에서 6시간 열처리하여 결정화하였다. 합성된 PZT 나노튜브는 직경 70~100nm, 튜브벽 두께가 약 20nm으로 관찰되었다. 합성된 PZT 나노튜브의 강유전성은 PFM(Piezoresponce Force Microscope)를 이용하여 측정하였다. 70~80nm의 직경을 갖고 튜브벽 두께가 20nm를 지니는 PZT 나노튜브의 PFM 측정결과 강유전성을 지니고 있는것을 확인할 수 있었다. |
