| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2013년 봄 (05/23 ~ 05/24, 여수 엠블호텔(THE MVL)) |
| 권호 | 19권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | GaN 기판상의 오염물 제거를 위한 세정공정에 대한 연구 |
| 초록 | 발광다이오드(LED)는 차세대 광전자 소자로 다양한 분야에 사용되고 발전해 왔다. 특히 파란빛을 내는 질화물 반도체 발광다이오드(GaN-LED)는 차세대 조명 기술로 각광받고 있다. 이러한 발광다이오드 제조에 주로 사용되는 질화갈륨 (GaN) 기판의 품질을 높이기 위해서는 GaN 표면 연마 공정 중 발생하는 유기 및 무기 오염물들을 제거하는 세정공정이 필요하다. 하지만 아직까지 GaN 기판 세정공정에 대한 연구는 전세계적으로 미흡한 상황이다. 따라서 본 연구에서는 GaN 기판 표면의 유기 및 무기 오염물 제거를 위한 GaN 기판 세정공정을 진행하였다. 연마 슬러리와 GaN 입자를 기판상에 임의로 오염시킨 후 슬러리 유기물 제거를 위한 황산과 과수를 혼합액 SPM 세정공정과 오염입자 제거를 위해 알칼리 세정액에 메가소닉의 물리적 세정 공정을 적용하였다. 접촉각 측정 결과를 통해 세정공정 후 표면상의 유기 오염물 제거 유무를 확인하였으며, 오염입자 제거 효율은 광학현미경을 이용하여 세정 전 후의 오염입자 개수 변화를 비교하여 평가하였다. 최종적으로 알칼리 세정액에 의한 GaN 기판 표면 식각을 최소화 하며 유기 및 무기 오염물들을 효과적으로 제거하는 세정공정을 최적화 하였다. |
| 저자 | 김현태1, 김민수1, 강봉균1, 조윤식1, 김현준2, 김경준2, 박진구1 |
| 소속 | 1한양대, 2(주)삼성코닝정밀소재 |
| 키워드 | GaN 세정공정; SPM; 메가소닉 |
