| 초록 |
전자소자는 지금까지 주로 Si 기반의 웨이퍼 상에서 구현되며 발전되어 왔다. 하지만, 최근에 기존의 Si 기반의 반도체 소재와는 다른 인쇄 공정이 가능한 투명, 고성능 반도체 소자 기반의 새로운 형태의 전자소자가 요구되고 있다. 본 연구에서는 잉크젯 프린팅 기법을 이용한 고성능 무기 산화물 반도체 소재 기반 박막트랜지스터(TFT)를 제조하고자 한다. 열처리 온도 및 조성의 변화에 따른 무기 산화물 반도체 소재의 화학적 구조 제어를 통해 소자특성을 최적화하였다. 반도체 소재의 화학적 구조는 X-ray photoelectron spectroscopy를 통하여 분석하였으며, 소자 특성은 I-V curve를 측정하여 mobility, threshold voltage, Ion/Ioff ratio등을 기반으로 평가하였다. 400 oC의 열처리 온도에서 프린팅 기법을 이용하여 6.3 cm2/Vs의 이동도를 가지는 소자를 제작하였으며, 300 oC의 열처리 온도에서 1.5 cm2/Vs의 이동도를 가지는 소자를 제작하였다. |
