- 열 전도성 열 라디칼 경화 실리콘 조성물을 형성하는 원 위치 방법
- 국제 특허분류 : C08L-083/06, C08G-077/12, C08G-077/14, C08G-077/20, C08L-083/14, C09J-183/06, C09J-183/14
- 출원번호/일자 : 10-2015-7024493 (2015/09/08)
- 공개번호/일자 : 10-2015-0119892 (2015/10/26)
- 출원인 : 다우 코닝 코포레이션
- 열 전도성 열 라디칼 경화 실리콘 조성물을 형성하는 원 위치 방법이 제공된다.원 위치 방법은, 분자당 평균 적어도 2개의 지방족 불포화 유기 기를 갖는 폴리오르가노실록산; 분자당 평균 4 내지 15개의 규소 원자를 갖는 폴리오르가노하이드로겐실록산; 및 분자당 적어도 1개의 지방족 불포화 유기 기 및 1개 이상의 경화성 기를 갖는 반응성 화학종의; 충전제 처리제, 열 전도성 충전제를 포함하는 충전제, 이성체 감소제, 및 하이드로실릴화 촉매의 존재 하에서의 반응의 반응 생성물을 포함하는 열 전도성 클러스터형 작용성 중합체를 형성하는 단계를 포함한다.상기 방법은 열 전도성 클러스터형 작용성 중합체를 라디칼 개시제와 블렌딩하는 단계를 추가로 포함한다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
