- INGAN을 포함하는 활성 영역을 가지는 발광 다이오드 반도체 구조
- 국제 특허분류 : H01L-033/00, C30B-029/40, H01L-021/02, H01L-033/08, H01L-033/32, H01S-005/343
- 출원번호/일자 : 10-2015-7026564 (2015/09/24)
- 공개번호/일자 : 10-2015-0130331 (2015/11/23)
- 출원인 : 소이텍
- 반도체 구조는 복수의 InGaN의 층 사이에 활성 영역을 포함한다. 활성 영역은 적어도 실질적으로 InGaN으로 구성될 수 있다. 복수의 InGaN의 층은 In w Ga 1 - w N을 포함하는 적어도 하나의 우물 층, 및 적어도 하나의 우물 층 근방에 In b Ga 1 - b N을 포함하는 적어도 하나의 배리어 층을 포함한다. 일부 실시 예에 있어서, 우물 층의 In w Ga 1-w N에서의 w의 값은 약 0.10 이상이고, 또는 일부 실시 예에 있어서는 약 0.40 이하일 수 있고, 적어도 하나의 배리어 층의 In b Ga 1 - b N에서의 b의 값은 약 0.01 이상이고, 약 0.10 이하일 수 있다. 반도체 구조를 형성하는 방법은 발광 장치, 예컨대 LED의 활성 영역을 형성하기 위해 InGaN의 이와 같은 층을 성장시키는 것을 포함한다. 발광 장치(luminary device)는 이와 같은 LED를 포함한다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
