- 수산화인듐 가루의 제조 방법 및 산화인듐 가루의 제조 방법, 및 스퍼터링 타겟
- 국제 특허분류 : C25B-001/20, C01G-015/00, C04B-035/01, C23C-014/34, C25B-011/04
- 출원번호/일자 : 10-2015-7032587 (2015/11/13)
- 공개번호/일자 : 10-2016-0012134 (2016/02/02)
- 출원인 : 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
- 입경이 균일하고 입도 분포폭이 좁은 수산화인듐 가루를 제조한다. 양극에 금속 인듐을 이용한 전해에 의해 수산화인듐 가루를 제조하는 방법에 있어서, 전해액의 전해질 농도를 0.1∼2.0 mol/L로 하고, pH를 2.5∼5.0, 액온을 20∼60℃로 하며, 전극 전류 밀도를 4∼20 A/dm2로 하고, 석출한 수산화인듐 가루를 포함하는 전해 슬러리의 농도가 2∼15%의 범위 내가 되도록 전해를 행한다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
