- 구리가 풍부한 구리 인듐 (갈륨) 디셀레나이드/디설파이드 나노 입자의 제조
- 국제 특허분류 : C01G-015/00, C01B-019/00, H01L-031/0236, H01L-031/0392, H01L-031/0445, H01L-031/0749, H01L-031/18
- 출원번호/일자 : 10-2016-7015842 (2016/06/14)
- 공개번호/일자 : 10-2016-0086915 (2016/07/20)
- 출원인 : 나노코 테크놀로지스 리미티드
- 구리 인듐 갈륨 디셀레나이드/디설파이드(CIGS) 나노 입자 제조 방법은 구리가 풍부한 화학양론을 활용한다. 유기 칼코겐 리간드로 캡핑된 구리가 풍부한 CIGS 나노 입자는 유기 용매에서 나노 입자를 처리 가능하게 한다. 나노 입자는 기판 상에 증착될 수 있고, 칼코겐이 풍부한 분위기에서 열처리되어 과잉 구리를 액상 소결 및 이에 따른 큰 결정 성장을 촉진하는 소결 플럭스로서 작용할 수 있는 구리 셀레나이드 또는 구리 설파이드로 변환하는 것을 용이하게 할 수 있다. 이렇게 생성된 나노 입자는 CIGS 기반 광전지 소자를 제조하기 위해 사용될 수 있다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
