- 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법
- 국제 특허분류 : G03F-001/24, C23C-014/18, G03F-001/26, G03F-001/38
- 출원번호/일자 : 10-2016-7015966 (2016/06/15)
- 공개번호/일자 : 10-2016-0101920 (2016/08/26)
- 출원인 : 호야 가부시키가이샤
- EUV 노광기의 노광 광원이 고파워화된 경우에 있어서도, 보호막과 이것에 인접하는 위상 시프트막 패턴의 재료 사이에서, 열 확산에 의한 상호 확산에 의해 EUV광에 대한 반사율이 변동되어 버리는 것을 억지할 수 있는 반사형 마스크 블랭크 및 이것에 의해 제작되는 반사형 마스크를 제공하고, 또한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.기판(12) 위에 다층 반사막(13)과, 보호막(14)과, EUV광의 위상을 시프트시키는 위상 시프트막(16)이 이 순서로 형성된 반사형 마스크 블랭크로서, 보호막(14)은 루테늄을 주성분으로서 포함하는 재료를 포함하고, 위상 시프트막(16)은 탄탈륨을 포함하는 탄탈륨계 재료층을 갖고, 보호막(14)의 표면 위 또는 보호막(14)의 일부로서 위상 시프트층(16)과 접하는 측에, 위상 시프트막(16)과의 상호 확산을 억지하는 루테늄과 산소를 포함하는 확산 방지층(15)을 형성함으로써, 보호막(14)과 위상 시프트막 패턴의 재료 사이에서의 열 확산을 억지한다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
