- 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
- 국제 특허분류 : C09K-013/08, C09K-013/06, C23F-001/18, C23F-001/26, C23F-001/44, H01L-021/306, H01L-029/786
- 출원번호/일자 : 10-2017-0014874 (2017/02/02)
- 공개번호/일자 : 10-2018-0090009 (2018/08/10)
- 출원인 : 동우 화인켐 주식회사
- 본 발명은 조성물의 총 중량에 대하여, 과황산염 0.5 내지 20 중량%, 불소 화합물 0.01 내지 2 중량%, 무기산 또는 무기산염 1 내지 10 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 염소화합물 0.01 내지 5 중량%, 구리화합물 0.01 내지 3 중량%, 유기산 또는 유기산염 0.1 내지 20 중량%, 스큐 조절제 0.05 내지 3 중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물 및 이를 사용하는 박막 트렌지스트 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
