- 단결정 잉곳 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 잉곳의 성장 방법
- 국제 특허분류 : C30B-030/04, C30B-015/10, C30B-015/20, C30B-015/30
- 출원번호/일자 : 10-2017-0088396 (2017/07/12)
- 공개번호/일자 : 10-2019-0007223 (2019/01/22)
- 출원인 : 에스케이실트론 주식회사
- 실시 예는 자기장의 MGP가 용융액의 표면의 상측에 위치하도록 MGP의 위치를 설정하는 단계, 설정된 MGP의 위치에 기초하여 융융액의 중앙 지점과 가장 자리 지점 간의 자기장의 세기의 편차를 설정하는 단계, 설정된 자기장의 세기의 편차에 기초하여 상기 용융액에 인가되는 자기장의 세기를 설정하는 단계, 및 설정된 MGP의 위치 및 설정된 자기장의 세기에 기초하여 단결정 잉곳을 성장시키는 단계를 포함하며, 상기 자기장은 수평 자기장이고, MGP의 위치는 융융액의 표면을 기준으로 +50mm ~ +150mm이고, 자기장의 세기의 편차는 420[G] ~ 500[G]이다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
