- 부식을 감소시키기 위한 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 및 이의 사용 방법
- 국제 특허분류 : C09K-003/14, H01L-021/304, H01L-021/306
- 출원번호/일자 : 10-2018-0065086 (2018/06/05)
- 공개번호/일자 : 10-2018-0068329 (2018/06/21)
- 출원인 : 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨
- 반도체 웨이퍼 상의 텅스텐-함유 필름의 화학적 기계적 평탄화(CMP)를 위한 슬러리 및 관련된 방법 및 시스템이 기재된다. 슬러리는 연마 입자, 활성화제-함유 입자, 과산화물 산화제, pH 조절제 및 나머지 물을 포함한다. 슬러리는 4 내지 10, 바람직하게는 5 내지 9, 더욱 바람직하게는 6 내지 8의 범위의 pH를 지닌다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
