- 대기 안정성이 향상된 황화물 고체전해질 및 이의 제조방법
- 국제 특허분류 : H01M-010/0562, C01D-015/00
- 출원번호/일자 : 10-2018-0135867 (2018/11/07)
- 공개번호/일자 : 10-2020-0052651 (2020/05/15)
- 출원인 : 한국전기연구원
- 본 발명은 대기 안정성이 향상된 황화물 고체전해질 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이온전도도를 높게 유지시킴과 동시에 대기 중의 안정성을 확보할 수 있는 황화물 고체전해질 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 황화리튬(lithium sulfide, Li 2 S), 오황화이인(phosphorus pentasulfide, P 2 S 5 ), 할로겐화리튬(lithium halogenide, LiX(X=Cl, Br, I)) 및 인산리튬(lithium phosphate, Li 3 PO 4 )으로 이루어진 출발물질을 혼합하여 고체전해질원료를 제조하는 제1단계; 고체전해질원료를 불활성 분위기 하에서 열처리하여 산소(oxygen, O)가 도핑된 고체전해질을 제조하는 제2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기 안정성이 향상된 황화물 고체전해질 및 이의 제조방법을 기술적 요지로 한다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
