| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2022년 봄 (04/20 ~ 04/23, 제주국제컨벤션센터) |
| 권호 | 28권 1호, p.660 |
| 발표분야 | [주제 9] 에너지 전환 |
| 제목 | 3.3 kV급 이상 고전압 전력반도체 소자 개발을 위한 단위공정 최적화를 위한 이온 주입공정 분석 |
| 초록 | 초록: 파워반도체는 전력의 변환, 변압, 분배 및 전력제어 등을 감당하는데 사용되는 반도체이다. 최근 세계적으로 고전압 파워반도체의 수요는 다양한 산업분야에 걸쳐 증가하고 있는 추세이며 교통수단의 패러다임이 내연기관자동차에서 전기·수소연료자동차로 바뀌고 있다 특히 고도의 안전성과 편리성이 갖춰진 전동차 이용이 활성화 되어가고 있는데 전동차에는 3.3 kV, 1.2 kA 급 이상 IGBT 모듈이 사용되는데 섬세한 설계와 고도의 공정기술이 요구되며 해당 산업에서는 고전압 IGBT 부품의 최적화 연구가 절실한 상황이다. 고전압 IGBT개발을 위해서 wafer의 저항값 설정과 주요 단위공정의 최적화가 완성칩의 전기적특성에 큰 변수가 되며 높은 항복전압(breakdown voltage) 지지를 위한 공정 및 최적화 기술 확보가 중요하다. 이온주입공정은 반도체의 제조공정 중 열확산기술과 더불어 웨이퍼 기판내부로 불순물을 주입하여 일정한 전도성을 갖게 하는 과정이다. 본 연구에서는 IGBT 3.3 kV 항복전압확보를 위한 안정적인 바디junction 깊이형성을 최적화하기 위하여 TEG 설계를 기초로 field ring 이온주입공정을 4가지 조건으로 나누어 분석하였다. |
| 저자 | 최규철1, 김덕열2, 김봉환3, 장상목1 |
| 소속 | 1동아대, 2두남화학, 3트러스트칩코리아 |
| 키워드 | 에너지 환경(Energy and Environment) |
| 원문파일 | 초록 보기 |
