| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2022년 봄 (04/20 ~ 04/23, 제주국제컨벤션센터) |
| 권호 | 28권 1호, p.1382 |
| 발표분야 | [주제 12] 화학공학일반(부문위원회 발표) |
| 제목 | 고전압 전력반도체 소자 구현을 위한 공정 최적화 |
| 초록 | 초록: 사물인터넷, 전기자동차, 자율주행자동차 등으로 표현되는 4차 산업의 대두와 함께 RE-100과 같이 에너지 절약의 요구가 진행될수록 전력반도체에 대한 수요는 증가하고 있다. 우리나라의 경우 메모리 반도체 분야에 집중되어있는 산업 구조를 바꾸기 위한 많은 노력이 진행되고 있으며, 특히 2050 탄소중립을 위한 산업계에서의 노력은 절실한 실정이다. 게다가 자율주행자동차의 대중화를 위해서 전력반도체 시장은 계속 증가할 것으로 예상된다. 교통 수단으로 사용되고 있는 전력반도체는 고전압, 고전력 소자와 모듈이 요구되어지므로 3.3 kV 이상의 IGBT 모듈이 사용되고 있다. IGBT는 고전압을 필요로 하는 기기 등에 탑재되어 스위칭 역할을 하는 전력 소모량이 많은 곳에 사용되므로 효율은 높고, 손실률이 적어야 한다. 이전의 연구에서 3.3 kV 내압을 확보하기 위하여 ring layout design을 위한 최적의 조건을 구축하였으나, 고전압의 IGBT를 제조 과정에서 발생하는 문제점을 해결하고, 최적의 포화전압을 가지는 소자를 제조하기 위한 최적의 공정을 설계하고자 한다. |
| 저자 | 이행자1, 김덕열1, 최규철2, 김봉환3, 장상목2 |
| 소속 | 1두남화학, 2동아대, 3트러스트칩 코리아 |
| 키워드 | 재료(Materials) |
| 원문파일 | 초록 보기 |
