Journal of the Korean Industrial and Engineering Chemistry, Vol.6, No.5, 937-943, October, 1995
후기 경화조건이 DGEBA/MDA/SN계의 절연파괴특성에 미치는 영향
Effects of Post-Curing Conditions on Dielectric Breakdown Properties of DGEBA/MDA/SN System
초록
후기 경화조건이 열경화성 에폭시 수지 DGEBA/MDA/SN 계의 절연파괴 특성에 미치는 영향에 대하여 조사하기 위하여 80℃에서 1.5시간 동안 1차 경화시킨 후 130℃와 150℃에서 후기 경화시간을 달리하여 경화시켜 전극간 거리가 1mm되게 시편을 제작하였다. 각각의 시편에 고전계를 인가하여 절연파괴강도를 측정하고 절연파괴 형상을 관찰하여 절연파괴 메카니즘에 대한 해석을 시도하였다. 후기 경화시간이 증가함에 따라 밀도는 1.2 (g/㎤) 정도에서 미소 증가하였으며, 유리 전이온도(Tg)는 9시간 후기 경화시켰을 때 111℃로 최고 값을 나타내었다. 절연파괴강도(EB)는 증가하다가 5시간 후기 경화되었을 때 25.7(kV/mm)로 최고 값을 나타내었다. 그러나 그 이상 경화되었을 때는 열 열화에 의해 오히려 감소되었다. 초기 트리는 후기 경화조건에 관계없이 고전압에서는 가지밀도가 낮았으며 저전압에서는 가지밀도가 높았다.
Investigated were the effects of post-curing conditions on the dielectric breakdown properties of thermoset DGEBA/MDA/SN system. The epoxy resin system with electrode gap of 1mm was first-cured at 80℃ for 1.5hr and post-cured at 130[℃] and 150[℃] respectively for various time periods. As the post-curing time increased, the density increased slightly from 1.2 [g/㎤] and glass transition temperature(Tg) was the highest value of 111℃ when postcured for 9hr. Dielectric breakdown strength(EB) increased to 25.7(kV/mm) and then decreased. The initial tree grown at lower voltage was more dense than the tree grown at higher voltage.
- Perkins JR, IEEE Trans. Electr. Insul., 6, 106 (1971)
- Mizutani T, T. IEE Jpn., 112A, 166 (1992)
- Cho SW, Shim MJ, Kim SW, J. Korean Mater. Res., 3, 271 (1993)
- Shim MJ, Kim SW, J. Korean Ind. Eng. Chem., 5(3), 517 (1994)
- Mathes KN, "Encyclopedia of Polymer Science and Engineering," 5, John Wiley & Sons, New York (1985)
- Cho Ys, Shim MJ, Kim SW, J. Korean Mater. Res., 6, 707 (1995)
- Seto K, Ito T, Ehara Y, T. IEE Jpn., 109A, 507 (1989)
- Bokare UM, Gandhi KS, J. Polym. Sci., 18, 857 (1980)
- Mason JH, Proc. IEE, 102C, 254 (1955)
- Nakanishi K, Hirabayashi S, IEEE Trans. Electr. Insul., 14, 306 (1979)
- Eichhorn RM, Conf. Rec. of the 1990 IEEE Int. Symp. on Electr. Insul., Canada (1990)
- Maruyama S, Kobayashi S, Kudo K, T. IEE Jpn., 113A, 480 (1993)