반도체 소자의 매선 폭과 배선간의 거리가 점점 작아져서 130 nm급 이하의 크기가 되는 고집적 소자와 logic chip 등의 개발에서는 신호지연과 배선간의 상호영향이 커다란 문제점으로 지적되고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서는 기존의 알루미늄보다 전도성이 우수한 구리를 도선으로 사용하는 동시에 기존의 SiO2 (k=3.9~4.2)보다 유전율이 낮은 새로운 대체 절연물질을 필요로 하고 있다. 본 기고에서는 이러한 전기적 요구사항과 함께 저유전 물질이 가져야 할 기본적인 물성을 전반적으로 다루고, 현재 연구되고 있는 저유전 물질들에 대한 폭 넓은 소개를 통해 향후 개발 방향에 대하여 설명하였다.