화학공학소재연구정보센터
홈 로그인 로그아웃 연락처 사이트맵
Journal of the Korean Industrial and Engineering Chemistry, Vol.15, No.3, 300-303, May, 2004
Export Citation
반응성 직류 마그네트론 스퍼터링에 의하여 증착된 IZO 박막의 특성
Characteristics of Indium Zinc Oxide Thin Films Deposited by Reactive DC Magnetron Sputtering
신벌†, 정지원
  • 인하대학교 화학공학과, 인천 402-751
Byul Shin†, and Chee Won Chung
  • Department of Chemical Engineering, Inha University, Incheon 402-751, Korea
E-mail:
초록
Indium zinc oxide (IZO) 박막이 상온에서 유리 기판 위에 반응성 직류 마그네트론 스퍼터링 방법에 의하여 증착되었다. 증착 속도는 직류 전력이 증가함에 따라서 증가하였고, 증착 압력의 증가에 대해서는 거의 일정하였다. 증착된 IZO 박막의 물리적, 광학적 특성에 대한 직류 전력과 증착압력의 영향이 조사되었다. IZO 박막의 표면 거칠기와 투과도는 직류 전력과 증착 압력이 증가할수록 점차 감소하는 특성을 보였다. Atomic force microscopy의 분석에 의하여 박막의 미세 구조와 표면 형상은 투과도와 밀접한 관련이 있는 것으로 관찰되었다. IZO 박막의 증착 후에 annealing 과정이 없이도 가시광선 영역에서 80 ~ 90%의 높은 투과도를 갖는 우수한 광학적 특성이 관찰되었다.
The deposition of indium zinc oxide (IZO) thin films was carried out on glass substrate at room temperature by reactive dc magnetron sputtering. The deosition rate of IZO films increased with increasing dc power but it was nearly constant with increasing deosition pressure. The effects of dc power and deposition pressure were investigated in terms of physical and optical properties of IZO films. As the dc power and deposition pressure increased, the transmittance gradually decreased. The observation of IZO films by atomic force microscopy indicated that microstructure and surface morphology of the films were responsible for the transmittance. It was observed that IZO films with an optical transmission of 80 ~ 90% in the visible spectrum can be prepared without post deosition annealing.
Keywords:indium zinc oxide;thin film;sputtering;flat panel display
  1. Arias AC, Roman LS, Kugler T, Toniolo R, Meruvia MS, Hummelgen IA, Thin Solid Films, 371(1-2), 201 (2000) 
  2. Zhu F, Zhang K, Low BL, Lim SF, Chua SJ, Mater. Sci. Eng., B85, 114 (2001)
  3. Vaufrey D, Khalifa MB, Besland MP, Tardy J, Sandu C, Blanchin MG, Roger JA, Mater. Sci. Eng., C21, 265 (2002)
  4. Teixeira V, Cui HN, Meng LJ, Fortunato E, Martins R, Thin Solid Films, 420, 70 (2002) 
  5. Ma H, Cho J, Park C, Surf. Coat. Technol., 153, 131 (2002) 
  6. Gorjanc TC, Leong D, Py C, Roth D, Thin Solid Films, 413(1-2), 181 (2002) 
  7. Tashiro J, Sasaki A, Akiba S, Satoh S, Watanabe T, Funakubo H, Yoshimoto M, Thin Solid Films, 415(1-2), 272 (2002) 
  8. Minami T, Sonohara H, Kacumu T, Takata S, Jpn. J. Appl. Phys., 34, L971 (1995) 
  9. Lee WJ, Fang YK, Ho JJ, Chen CY, Chiou LH, Wang SJ, Dai F, Hsieh T, Tsai RY, Huang D, Ho FC, Solid State Electronics, 46, 477 (2002)