N형 유기물질을 이용한 세로형 유기 발광트랜지스터의 제작 및 특성에 관한 연구

오세용; 김희정; 장경미; Se Young Oh; Hee Jeong Kim; Kyoungmi Jang

Polymer(Korea), Vol.30, No.3, 253-258, May, 2006

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N형 유기물질을 이용한 세로형 유기 발광트랜지스터의 제작 및 특성에 관한 연구

Characteristics and Fabrication of Vertical Type Organic Light Emitting Transistors Using n-Type Organic Materials

오세용 ^†, 김희정¹, 장경미

서강대학교 공과대학 대학원 바이오 협동과정
¹서강대학교 공과대학 화공생명공학과

Se Young Oh^†, Hee Jeong Kim¹, and Kyoungmi Jang

Interdisciplinary Program of Integrated Biotechnology, Sogang University, Sinsoo-Dong 1, Mapo-Gu, Seoul 121-742, Korea
¹Department of Chemical & Biomolecular Engineering, Sogang University, Sinsoo-Dong 1, Mapo-Gu, Seoul 121-742, Korea

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초록

4 종류의 n형 유기 반도체 물질 F16CuPc, NTCDA, PTCDA, PTCDI C-8을 사용하여 ITO/n형 활성물질/Al gate/n형 활성물질/Al으로 구성되는 세로형 유기 박막트랜지스터를 제작하였다. 캐리어 이동도의 차이를 갖는 유기 물질의 종류와 유기 박막층의 두께 조절에 따른 유기 박막트랜지스터의 전류전압(I-V) 특성 및 전류의 온오프비에 미치는 영향을 조사하였다. PTCDI C-8을 사용한 세로형 유기 박막트랜지스터에서 낮은 구동전압과 높은 스위칭 특성을 보였다. ITO/PEDOT-PSS/P3HT/F16CuPc/Al gate/F16CuPc/Al으로 구성되는 발광트랜지스터를 제작하였고, 20 V에서 최고 0.054의 양자 효율을 나타내었다.

We have fabricated vertical type organic thin film transistors(OTFTs) consisting of ITO/n type active material/Al gate/n type active material/Al using F16CuPc, NTCDA, PTCDA and PTCDI C-8. The effect of mobility of n type active materials and thin film thickness on current-voltage(I-V) characteristics and on/off ratios were investigated. The vertical type organic transistor using PTCDI C-8 exhibited low operation voltage and high on-off ratio. In addition, we have investigated the feasibility of application in organic light emitting transistor using light emitting polymer. Especially, the light emitting transistor consisting of ITO/PEDOT-PSS/P3HT/F16CuPc/Al gate/F16CuPc/Al showed the maximum quantum efficiency of 0.054.

Keywords:vertical type OTFT;n type active materials;light emitting transistor;on-off ratio;quantum efficiency

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