| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 |
11권 2호 |
| 발표분야 |
반도체재료 |
| 제목 |
AlGaN/GaN 이종접합구조의 향상된 전기적 특성을 위한 성장 조건 |
| 초록 |
AlGaN과 그에 관련된 질소화합물들은 청색 및 자외선 영역의 light emitting diodes (LEDs) 와 laser diode (LD) 같은 광소자 분야의 응용뿐만 아니라 기계적으로 뛰어난 내구성의 장점을 활용할 수 있는 고온, 고출력 소자에 사용하기에 적합한 물리적, 화학적 특성을 가지고 있다. 특히 AlGaN/GaN 이종접합구조는 wurzite 구조에 의한 이종접합 계면에서의 압전 및 자발 분극 효과 때문에 높은 밀도의 2차원 전자가스(2DEG)를 형성할 수 있다. 다시말해, AlGaN/GaN 이종접합계면에서는 전자들의 구속으로 높은 이동도를 가진 2차원 전자 가스를 형성하게 된다. 이러한 2차원 전자가스의 특성을 이용한 소자를 구현하기 위해서는 고품질의 AlGaN 박막 성장 및 Al 조성비 제어가 중요하다. 본 실험에서는 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) 제작을 위한 전단계로서, AlGaN/GaN heterostructure의 여러 가지 성장 조건에 대한 특성을 분석하고 최적의 성장 조건을 찾고자 한다. AlGaN층의 두께, reactor pressure, NH3 flow rate 등의 성장 조건을 바꿔가며 AlGaN/GaN 박막을 성장시키고 그 박막 특성을 분석하여 최적의 성장 조건을 찾아낸다. |
| 저자 |
최재홍1, 강호재2, 박현규1, 이도한1, 진정근1, 변동진1
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| 소속 |
1고려대, 2에피플러스 |
| 키워드 |
AlGaN/GaN; heterostructure; MOCVD
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| E-Mail |
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