| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2001년 봄 (04/27 ~ 04/28, 연세대학교) |
| 권호 | 7권 1호, p.2254 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 전자소자기술을 위한 in-situ 저압 UV-O2/O3 스트리핑 공정변수에 대한 연구 |
| 초록 | 최근 반도체 공정 기술이 저 유전상수 물질에 의한 소자 간 절연, 낮은 소자작동전압 및 소비전력, 고속 소자의 출현을 요구하고 있음에 따라, 박막 공정을 위한 저압 in-situ 표면 전처리공정의 개발이 요구된다. 본 연구에서는 증착전처리공정으로서의 저압 UV-O2/O3 처리를 연구하기위해, 전자선 사진공정 용 감광물질인 Polymethylmetacrylate (PMMA)로 인위적으로 오염시킨 실리콘 웨이퍼를 수 Torr의 저압에서 UV-O2/O3 처리하고, 이때 공정변수가 스트리핑 과정에 미치는 영향을 파악하였다. PMMA의 박막에 대한 저압 UV-O2/O3 공정의 스트리핑 능력은 공정온도에 민감하게 달라졌으며 이는 고분자 매트릭스의 유동성 효과로 설명할 수 있다. 스트리핑 과정에서는 주로 측쇄의 분해가 일어났고, 과산화물로 추측되는 구조가 나타남을 확인하였다 |
| 저자 | 선민철1, 권성구2, 김도현 |
| 소속 | 1한국과학기술원 화학공학과, 2전자통신(연) |
| 키워드 | UV-O2/O3; PR stripping; low pressure; in-situ; PMMA |
| 원문파일 | 초록 보기 |
