| 초록 |
반도체 후공정에서 구리와 저유전율(low-k dielectric)재료의 채택은 소자의 critical dimension(CD) 축소와 더불어 나타나는 Al과 SiO2에 의한 RC delay를 극복하기 위한 최선의 선택이다. 금속배선구조에서 vias와 trenches를 형성하기 위해 damascene 구조를 채택하였다. Damascene 구조를 형성하는 과정에서 유전체 측벽에 구리 오염물과 via의 하부에 CuxOy형태의 식각잔류물(PER)을 형성하게 된다. 세정용액은 구리의 산화와 유전체의 유전상수의 저하없이 구리산화물을 선택적으로 제거해야 한다. 본 연구에서는 Cu/CuO의 선택적 용해력을 측정함으로써 세정액으로써의 가능성을 연구하여 보았다. 혼합세정액은 공정온도가 증가할수록 용해도가 증가하였고, 각 세정액 성분의 pH가 강산, 강염기의 성향을 보일 때 용해도가 증가함을 알 수 있었다. Low k dielectric재료의 안정성에 있어 ＜20Å의 식각률을 보이고 있으며, FT-IR을 통한 구조분석 결과 구조적 변형이 거의 없음을 확인하였다. |
