| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2012년 가을 (11/07 ~ 11/09, 라카이샌드파인 리조트) |
| 권호 |
18권 2호 |
| 발표분야 |
C. 에너지/환경 재료(Energy and Environmental Materials) |
| 제목 |
실리콘 태양전지 적용을 위하여 다양한 PECVD 무선주파수를 변화시킨 전면 패시베이션층 특성분석 |
| 초록 |
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) 장치를 통하여 증착된 수소화된 질화막 (SiNx:H)은 결정질 태양전지의 반사방지막과 패시베이션 층으로 널리 사용되고 있다. 본 연구에서는 수소화된 실리콘 질화막을 무선주파수(Radio Frequency)의 범위를 다양하게 변화시킨 특성변화의 경향성을 알아보고 각 무선주파수에서 최적화된 패시베이션층을 확보하였다. 이후 태양전지 제작을 위해 각각의 다양한 전면 패시베이션층을 달리 적용하여 그 특성들을 분석하였다. 다양한 무선주파수 범위는 고주파 (High Frequency: 13.56 MHz), 저주파 (Low Frequency: 370 kHZ) 그리고 혼합주파 (Dual Frequency: 13.56 MHz + 370 kHz)를 각각 이용하여 수소화된 질화막을 증착 하였으며 156 x 156 mm 대면적 결정질 실리콘 태양전지를 제작하여 비교하였다. |
| 저자 |
이경동, 김성탁, 김현호, 박성은, 탁성주, 김동환
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
PECVD; 실리콘 질화막; 무선주파수; 패시베이션
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