화학공학소재연구정보센터
학회 한국공업화학회
학술대회 2006년 가을 (11/10 ~ 11/11, 경희대학교(수원캠퍼스))
권호 10권 2호
발표분야 무기재료
제목 펄스 SiH4 플라즈마 공정에서 입자 성장에 대한 수치분석
초록 본 연구에서는 펄스 SiH4 PCVD 반응기에서 입자 충돌에 의한 입자 성장을 모델식을 사용하여 이론적으로 분석하였다. plasma-on 동안, 입자 생성의 영향으로 작은 입자들의 농도는 높게 나타났고 작은 입자들간의 충돌에 의해 큰 입자들이 생성된 후 작은 입자들과의 충돌에 의해 큰 입자들이 성장하였다. plasma-off 동안, 입자 생성은 멈추고 작은 입자들은 큰 입자들과의 빠르게 충돌하여 작은 입자들의 농도가 빠르게 감소하였고 큰 입자들은 plasma-on동안보다 느리게 성장하였다. SiH4 PCVD 반응기에서 펄스 플라즈마의 사용으로 큰 입자들의 성장을 억제시킬 수 있었다.
저자 박정훈, 강진이, Nasonova Anna, Piyabutr Sunsap, 김동주, 김교선
소속 강원대
키워드 펄스 변조; 입자 충돌; 입도불포; 입자 성장; SiH4; 플라즈마 공정
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