| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트) |
| 권호 |
13권 1호 |
| 발표분야 |
전자재료 |
| 제목 |
SF6/O2 혼합 가스를 이용한 Cyclo Olefin Copolyer의 건식 식각 (Plasma Etching of Cyclo Olefin Copolyer in SF6/O2 gas mixture) |
| 초록 |
Cyclo Olefin Copolyer(COC)는 우수한 전기 절연성, 습기 저항(moisture resistance), 내화학성, 높은 유리화 온도(glass temperature, Tg), 높은 투과도(＞90%)와 굴절률(1.54), 우수한 가공성을 이용하여 DVD 픽업 렌즈, 카메라 렌즈 등의 광학 부품이나 바이오 칩으로 응용될 수 있는 물질이다. 따라서 COC 소재를 이용한 각종 첨단 소자로의 이용을 위한 공정 개발이 최근들어 시작되고 있다. 본 연구는 Reactive Ion Etching (RIE) 시스템을 이용하여 SF6와 SF6/O2 플라즈마에 따른 COC의 식각결과를 비교 분석하였다. 공정 변수는 RIE 척(chuck) 파워, 가스 유량(10 ~ 40sccm)과 O2 조성비(0 ～ 100%)이었다. SF6에 O2를 첨가하게 되면 순수한 SF6 플라즈마에서의 식각률( ＞ 1000 Å/min ) 보다 분당 약 1000 Å 이상 높은 식각률( ＞ 2000 Å/min )을 나타내었다. 이 결과는 O2 플라즈마의 이온보조(ion-assisted)가 식각률 증가에 기인하지만, RIE만 사용한 경우에는 SF6의 이온화율이 낮아 상대적으로 식각 효율이 낮게 나타난 것으로 예측된다. 그리고 전자주사 현미경(SEM)과 표면 단차 분석기(Surface Profiler)를 사용하여 식각 후 표면 거칠기 및 표면 상태 등을 분석하였다. 본 연구에서 수행한 SF6 가스 기반의 RIE 식각 결과는 향후 COC 폴리머의 우수한 형상 가공 기술을 개발하는데 활용될 수 있다. |
| 저자 |
백인규1, 김재권2, 박연현1, 주영우2, 조관식1, 이제원2, 정필구1, 고종수2
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| 소속 |
1인제대, 2나노 매뉴팩처링 (연) |
| 키워드 |
Cyclo Olefin Copolymer; dry etching; RIE; SF6/O2
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| E-Mail |
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