| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2015년 봄 (04/22 ~ 04/24, 제주 ICC) |
| 권호 | 21권 1호, p.772 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Etch mechanism of Si3N4 in a C4F6/Ar/O2/CH2F2 plasma |
| 초록 | Si3N4는 etch stop layer, sidewall-spacer, mask등에 사용된다. Si3N4 식각공정에서 가장 중요한 요소중 하나는 Si3N4 식각프로파일을 예측하여 이를 정밀하게 제어하는 것이다. 이를 위해서는 Si3N4의 식각메카니즘을 파악하는 것이 필수적이다. 본 연구에서는 이온의 입사각도를 조절할 수 있는 파라데이 상자(Faraday cage)를 이용하여 C4F6/Ar/O2 플라즈마에서 Si3N4 식각메가니즘을 분석하였다. 또한 CH2F2를 첨가하여 가스 chemistry 변화가 식각 메카니즘에 미치는 영향을 파악하였다. Si3N4의 식각 메카니즘은 표면에 형성된 정상상태 불화탄소 박막(steady-state fluorocarbon film)의 두께와 F/C ratio 변화, 각도에 따른 불화탄소박막의 식각 및 증착 특성 등을 바탕으로 제시하였다. |
| 저자 | 조성운, 김준현, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | Etch mechanism; Faraday cage; Angular dependence; Steady-state fluorocarbon film |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
