| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2014년 가을 (10/22 ~ 10/24, 대전 DCC) |
| 권호 | 20권 2호, p.1905 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Angular dependence of SiO2 etch rate in fluorocarbon plasmas |
| 초록 | 불화탄소 플라즈마는 반도체 및 직접회로 소자공정 특히 SiO2 식각에서 주로 사용된다. SiO2 식각형상의 정교한 조절은 필수적이며, 이를 위해서는 SiO2 식각속도의 각도의존성을 파악하는 것이 중요하다. 그러나 플라즈마 내에서 입사이온의 각도를 조절하는 것은 매우 어렵기 때문에 SiO2 식각속도의 각도의존성을 분석하기가 어렵다. 또한 SiO2 식각은 방전가스 종류에 따라 식각 특성 및 형상이 달라지므로 이에 따른 분석이 요구된다. 본 연구에서는 유도결합 플라즈마 챔버에서 Faraday 상자를 이용하여 입사이온의 각도에 따른 SiO2 식각속도의 각도의존성을 알아보았다. 방전가스 종류가 SiO2 식각속도에 미치는 영향을 알아보기 위해 CF4, C2F6, C4F8, CHF3를 방전가스로 사용하였다. SiO2 식각속도의 각도의존성은 불화탄소 플라즈마의 종류에 따라 다르게 나타났으며, SiO2 표면에 형성된 steady-state 불화탄소 박막의 두께 및 F/C ratio 변화를 통해 이를 분석하였다. |
| 저자 | 김준현, 조성운, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | fluorocarbon plasma; angular dependence; SiO2 etch |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
