| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2015년 봄 (04/22 ~ 04/24, 제주 ICC) |
| 권호 | 21권 1호, p.841 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Effect of gas composition on the angular dependence of SiO2 etch rates in fluorocarbon plasmas |
| 초록 | 불화탄소 플라즈마는 반도체 소자 제조 공정에서 SiO2 식각에 주로 사용된다. SiO2 식각속도의 각도의존성은 식각형상의 정교한 조절에 필수적이며 이는 반도체의 품질과 직접 연결되기 때문에 매우 중요한 주제이다. 그러나 플라즈마 내에서 입사이온이 기판과 충돌하는 각도를 조절하는 것이 어렵기 때문에 SiO2 식각속도의 각도의존성을 해석하기가 어렵다. 본 연구에서는 파라데이 상자를 이용하여 불화탄소 플라즈마에서 이온의 입사각도에 따른 SiO2 식각속도의 각도의존성을 파악하였다. CF4, C2F6, C4F8, CHF3 등 4가지 불화탄소 가스를 사용하여 플라즈마 chemistry 변화가 SiO2 식각속도에 어떤 영향을 미치는지 알아보았다. |
| 저자 | 박정근, 김준현, 조성운, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | angular dependence; SiO2 etching; Faraday cage; fluorocarbon plasma; plasma chemistry |
| 원문파일 | 초록 보기 |
