| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2014년 가을 (11/27 ~ 11/28, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 20권 2호 |
| 발표분야 | B. 나노 재료(Nanomaterials) |
| 제목 | Layer by Layer Control of MoS2 Film through Atomic Layer Etching System |
| 초록 | Molybdenum disulfide (MoS2) 는 그래핀과 같이 층간구조를 가지고 있는 물질로써 최근에 물리화학적인 특성 및 기계적인 특성으로 인해 많은 연구가 진행되고 있는 물질이다. 특히, FETs (Field Effect Transistors), Photoluminescence, Photo Detectors, Photovoltaics, Light Emitters와 같은 분야에서 많은 연구들이 보고되어 지고 있으며, 높은Young’s modulus의 특징으로 인해 Flexible Electronics로의 응용에도 많은 연구가 진행중이다. MoS2가 여러 응용분야에서 폭넓게 사용될 수 있는 이유는 MoS2의 Layer수에 따라 고유한 전기적인 특성을 지니고 있으며, 층수가 증가함에 따라 1.8eV의 Direct Band-gap특성으로부터 1.2eV의 Indirect Band-gap특성으로 변화하는 특성을 가지고 있기 때문이다. 이러한 다양한 특성에도 불구하고 MoS2는 Layer를 제어하기 어려운 점 때문에 전자 소자 응용에 많은 제한이 되어 왔다. 본 연구에서는 Atomic Layer Etching (ALE) 방법을 이용하여 Few Layers MoS2 시편에 대해 Layer를 조절할 수 있는 식각 방법에 대해 연구하였다. 반응성 가스인 Cl2 로 흡착 하여 층간 구조를 약화 하고 비활성 가스인 Ar으로 탈착시킴으로써 정확한 Layer를 조절 할 수 있었다. Raman Spectroscopy, Atomic Force Microscopy (AFM), Optical Microscopy, X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)를 이용하여 식각공정에 따른 표면분석 및 MoS2 Layer에 대한 분석을 진행하였다. |
| 저자 | 임태철, 전민환, 염근영 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | Molybdenum disulfide; etching |
