| 초록 |
on-axis 6H-SiC(0001) 표면 위에 수소 식각과 CMP (chemical mechanical polishing) 의 표면처리를 통해 나노 수준의 스텝 (step) 을 형성하여 적층 성장 (epitaxial growth) 을 위한 부드럽고 결함이 없는 표면을 제시하였다. 수소 식각 공정은 유도가열 방식의 화학 기상 증착 (rf-CVD : radio frequency Chemical Mechanical Deposition) 반응기를 통해 수소 1000sccm을 흘려주면서 온도와 시간변수로 수행 하였으며, CMP 공정은 실리카 슬러리 (colloidal silica slurry) 를 사용하여 속도 및 시간 변수로 실험을 수행하였다. CMP를 통해 매크로 스텝 (macrostep) 이 형성되었고, 1500 oC 에서 수소 식각 공정을 통해 균일한 마이크로 스텝 (microstep) 이 형성되면서 <01-10> 혹은 <11-20>의 방향성을 보이고 있다. 또한 표면처리 실험을 통해 6H-SiC 기판 내에 지니고 있는 미세 파이프와 같은 원형 결함 (defect) 과 스크래치 (scratch) 를 제거 할 수 있었으며, AFM을 통해 공정후의 표면을 관찰 할 수 있었다. |
