| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2008년 봄 (05/22 ~ 05/23, 상록리조트) |
| 권호 |
14권 1호 |
| 발표분야 |
반도체재료 |
| 제목 |
플라즈마내의 이온 충격을 이용한 Photoresist strip 용액의 활성화방법 연구 |
| 초록 |
반도체 산업의 발달로 인하여 반도체 소자의 집적도는 비약적인 발전을 계속 진행하고 있다. 이러한 반도체 소자의 집적도 향상은 곧 반도체 소자 패턴의 미세화를 의미한다. 이러한 반도체 소자 패턴의 미세화를 위하여 Photoresist(PR)를 이용한 패턴 공정의 중요성은 계속 부각되고 있다. 다단계 PR 공정으로 인하여 반도체 소자 생산 중 PR strip으로 인한 공정 지연 시간은 계속 증가되고 있다. 본 연구에서는 PR strip용액을 플라즈마내의 이온충격에 의해 활성화하는 방법에 대한 연구를 진행 중에 있으며, 이는 기존의 습식방법의 단점을 극복하기 위하여, PR strip 용액에 플라즈마에 의한 약액활성화를 증가시키는 방법이다. 플라즈마내의 이온충격에 의하여 활성화된 PR strip용액은 기존 용액과 비교할 때 빠른 strip 식각률을 나타내었으며 기존 strip용액을 희석하여 플라즈마 약액 활성화 방법을 사용할 때도 기존 strip용액보다 빠른 식각률을 나타내었다. 세정시간 단축은 여러 단계의 식각 공정 시간을 단축하여 반도체 공정에서 소자 생산을 위한 시간을 단축하게 된다. 또한 각 세정공정마다 증가한 세정 공정으로 인하여 세정액의 사용이 많아져 세정액 폐수로 인한 환경문제가 심각해지고 있다. 세정 약액 활성화 방법을 사용함으로써 세정액의 절감효과가 나타난다. |
| 저자 |
김수인, 이창우
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| 소속 |
국민대 |
| 키워드 |
Photoresist(PR) strip; PR residue; 플라즈마 약액 활성화
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| E-Mail |
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