| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2002년 봄 (04/26 ~ 04/27, 강원대학교) |
| 권호 | 8권 1호, p.2113 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | NF3/Ar ICP를 이용한 SiO2/PR의 선택적 식각 |
| 초록 | 최근 반도체 산업이 초고집적화 되면서 다양한 기술이 요구되고 있다. 회로 설계에 요 구되는 최소 선폭과 소자 크기는 계속 감소하고 있으며, 이를 위해서는 극미세 패턴의 정확 한 구현 및 이에 따른 손상과 오염을 최소화 시켜야 한다. 그 결과 낮은 압력에서 높은 플 라즈마 밀도를 갖는 플라즈마 발생장치가 선호되고 있다.1 다양한 플라즈마 소스 중에 유도 결합형 플라즈마 소스는 이온화율이 높고 이온의 에너지를 조절할 수 있는 특징을 지니고 있다.2 특히 식각 공정에서는 높은 식각 속도, 넓은 균일성, 이방성 식각 등의 특징을 보인 다.3-4 그러나 박막의 식각 공정에서 일반적으로 이용되는 PR(Photo-resist)은 열적 불안정 성으로 인하여 많은 문제점을 나타나고 있다. 이로 인하여 실리콘 산화막을 증착한 후 Hard 마스크로 사용하는 공정이 사용되고 있다. 이 방법에 의해 수행된 식각 단면은 PR 마스크 에 비해 보다 수직이고 부드러우며 플라즈마에 노출되어 있는 식각 물질에 대한 손상을 최 소화 할 수 있는 장점이 있다. 본 연구에서는 평판형 유도결합 플라즈마를 사용하여 여러 가지 공정 변수들을 변화시키면서 각 공정 변수들이 실리콘 산화막의 식각속도, 식각 프로 파일, PR의 변형 유무 등에 어떠한 영향을 미치는지 고찰하였다. |
| 저자 | 박형조1, 한윤봉2 |
| 소속 | 1전북대, 2화학공학부 |
| 키워드 | Selective etching; SiO2/PR; ICP |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
